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Sensor模塊die電損壞(ESD/EOS) ！這兩者有什么區(qū)別呢 ？
專欄：常見問題
發(fā)布日期：2023-04-07
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那ESD和EOS是什幺呢？其過程持續(xù)時間可能是幾微秒到幾秒（也可能是幾納秒），很短的EOS脈沖導致的損壞與ESD損壞相似。5、測試設計欠佳，例如，在器件尚未加電或已超過其操作上限的情況下給器件發(fā)送測試信號。
傳感器的返修報告中顯示失效原因：Sensor模塊die電損壞(ESD/EOS)。那ESD和EOS是什么呢？兩者有什么區(qū)別呢？
EOS為Electrical Over Stress的縮寫，指所有的過度電性應力。當外界電流或電壓超過器件的最大規(guī)范條件時，器件性能會減弱甚至損壞。 EOS通常產(chǎn)生于： 1、電源（AC/DC）干擾、電源雜訊和過電壓。 2、由于測試程式切換（熱氣換）導致的瞬變電流/峰值/低頻干擾。其過程持續(xù)時間可能是幾微秒到幾秒（也可能是幾納秒），很短的EOS脈沖導致的損壞與ESD損壞相似。 3、閃電。 4、測試程式開關引起的瞬態(tài)/毛刺/短時脈沖波形干擾。 5、測試設計欠佳，例如，在器件尚未加電或已超過其操作上限的情況下給器件發(fā)送測試信號。再比如在對器件供電之前加入測試信號，或超過最大操作條件。 6、來自其他設備的脈沖信號干擾，即從其他裝置發(fā)送的脈沖。 7、不恰當?shù)墓ぷ鞑襟E，工作流程不甚合理。 8 ESD是英文Electrical Static Discharge的縮寫，中文釋為靜電放電 兩者對比區(qū)別 EOS ESD 典型地,由電源和測試設備產(chǎn)生 ESD屬于EOS的特例，有限的能量,由靜電荷引起 事件持續(xù)時間在微秒~秒級. (也可能是毫微秒) 事件持續(xù)時間在微微秒~毫微秒級 損壞的現(xiàn)象包括金屬線熔化、發(fā)熱、高功率、閂鎖效應 其可見性不強損壞位置不易發(fā)現(xiàn), 短的EOS脈沖損壞看起來像ESD損壞 通常導致電晶體級別的損壞 |
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